Infineon gewinnt Patentstreit: Chinesischer Konkurrent muss GaN-Technologie stoppen
Frauke Mans
Infineon gewinnt Patentstreit: Chinesischer Konkurrent muss GaN-Technologie stoppen
Das Landgericht München hat in zwei Patentverletzungsverfahren zugunsten von Infineon Technologies entschieden. Streitgegenstand war die unberechtigte Nutzung von Galliumnitrid-Technologien (GaN) durch das chinesische Unternehmen Innoscience. Gerichte in Deutschland und den USA haben nun bestätigt, dass Produkte von Innoscience die geistigen Eigentumsrechte von Infineon verletzen.
Dies stellt die dritte und vierte juristische Niederlage für Innoscience in den laufenden Auseinandersetzungen mit Infineon dar. Das Gericht hat dem Unternehmen untersagt, die patentverletzenden GaN-Produkte in Deutschland herzustellen, zu verkaufen oder zu vermarkten. Zudem muss Innoscience Infineon aufgrund des Urteils Schadensersatz leisten.
GaN-Technologie ist entscheidend für hochleistungsfähige und energieeffiziente Stromsysteme. Sie kommt in Anwendungen wie erneuerbaren Energien, Rechenzentren, industrieller Automatisierung und Elektrofahrzeugen zum Einsatz. Infineon hält rund 450 GaN-Patentfamilien und festigt damit seine Führungsposition auf dem GaN-Markt als integrierter Halbleiterhersteller.
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Johannes Schoiswohl, Senior Vice President und Leiter der GaN-Systems-Geschäftseinheit bei Infineon, betonte die Bedeutung der Entscheidung. Er erklärte, das Urteil unterstreiche den Wert des GaN-Portfolios von Infineon sowie das Engagement des Unternehmens, geistiges Eigentum zu schützen und gleichzeitig fairen Wettbewerb zu fördern.
Die Gerichtsentscheidung setzt das Verbot der patentverletzenden Innoscience-Produkte in Deutschland durch. Zudem muss das Unternehmen Infineon für die unberechtigte Nutzung der patentierten GaN-Technologien entschädigen. Das Ergebnis stärkt Infineons Position bei der Weiterentwicklung von Halbleiterinnovationen für globale Herausforderungen wie Dekarbonisierung und digitale Transformation.
